| 罗洪原,A.G.T.M.Bastein,V.Ponec.关于Rh/VOCl_2/SiO_2催化剂上C_2-含氧化合物的生成诱导期[J].分子催化,1988,(4): |
| 关于Rh/VOCl_2/SiO_2催化剂上C_2-含氧化合物的生成诱导期 |
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| 罗洪原 A.G.T.M.Bastein V.Ponec |
| 中国科学院大连化学物理研究所，Gorlaeus Laboratories，R.U，Leiden，The Netherlands，Gorlaeus Laboratories，R.U，Leiden，The Netherlands 大连 |
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| 中文摘要: |
| 在合成气反应过程中影响C_2-含氧化合物生成诱导期的因素看来是复杂的.本文通过反应装置的管道系统对反应产物吸附的影响和反应过程中金属铑和钒促进剂相互作用状态变化的考察及对反应结果的联系分析发现,C_2-含氧化合物的生成诱导期和它的生成业率,与它在催化剂上的饱和吸附量有关.在反应中心上生成的Cl_2-含氧化合物可能经历一个向载体表面迁移-吸附-脱附的过程.C_2含氧化合物的表观生成速率在初始阶段随反应时间的延长和发面吸附C_2-含氧化物的增多而上升;当吸附的量达饱和吸附量时,C_2-含氧化合物的表观生成速率进入稳态.这似乎是Rh/V/SiO_2催化剂主导致生成诱导期的主要原因. |
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